در این مقاله یک سامانه ساده و کارا برای لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD ارایه شده است. سامانه دارای ویژگیهای نوینی است که نشانش لایه های اکسید قلع را در یک محفظه بسته ممکن ساخته است. در طول فرایند لایه نشانی، سامانه ورودی ندارد و کنترل پارامترهای فرآیند لایه نشانی به آسانی میسر است. لایه اکسید قلع از ترکیب بخارهای کلرید قلع و آب روی زیر لایه شیشه ای در دمای 250°C تشکیل می شود. منبع پیش ماده داخل محفظه واکنش تعبیه شده است و تبخیر کنترل شده اجزا واکنش در داخل محفظه لایه نشانی انجام می شود. تنظیم فشار محفظه در محدوده Torr 50-10 توسط مجموعه ای متشکل از یک پمپ روتاری و سه شیر خلا، برای هر نرخ تبخیر ممکن گردیده است. کلیه پارامترهای مهم فرآیند شامل نرخ تبخیر، دمای زیر لایه، فشار محفظه، مدت لایه نشانی و نسبت اجزای پیش ماده قابل اندازه گیری و کنترل می باشند. میکروگرافهای SEM لایه های بدست آمده در محدوده ضخامت nm 400 – 50 مطالعه شده است. بدون اعمال آلایش، حداکثر ضریب هدایت سطحی لایه های اکسید قلع حاصل، □.moh 3- 10 است. در هدایت سطحی بیش از □.moh 4‑ 10، هدایت سطحی نمونه های نشانده شده با خطای 10%± تغییر قابل تکرار بود.

هدف این تحقیق، تهیه نانو سیم های SnO2 به روش رسوب گذاری با عبور بخار حاصل از واکنش های شیمیایی حرارتی (TCRVTD) از پودرSnO  می باشد. ریخت شناسی (مورفولوژی)، ترکیب شیمیایی و خواص نانوساختاری سیم ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان (FE-SEM)، طیف سنجی انرژی پراکنده کننده (EDX) و پراش پرتوهای ایکس (XRD) مطالعه گردیدند. نتایج پراش پرتوهای ایکس مشخص نمود که نانوسیم های SnO2 با ساختار بلوری تتراگونال با ثابت های شبکه ای a=b=0.440 nm و c=0.370 nm رشد یافته اند. تصاویر SEM بر رشد موفقیت آمیز نانوسیم ها بر زیرلایه Si دلالت می کنند. نقش EDS وجود عناصر Au, O, Sn را در نانوسیم ها آشکار می کند. قطر نانو سیم ها در محدوده بین 20 nm تا 100 nm اندازه گیری شدند.

ساختار الکترونی، ساختار نوار انرژی و چگالی الکترونی سرامیک SnO2 در فاز مکعبی با استفاده از اصل اولیه روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. این محاسبات با استفاده از تقریب چگالی موضعی (LDA)  و تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) بر اساس بهینه ساری انرژی تبادلی- همبستگی انجام گرفته است. گاف نواری در نقطه G و در منطقطه بریلوئن 2.2ev  مشاهده شده است. محاسبات ساختار نواری و ساختار الکترونی SnO2 در تقریب های مختلف سازگاری خوبی با نتایج تجربی و نظری دیگران داشت. علاوه بر این چگالی ابر الکترونی نشان می دهد که پیوند میان اتم های اکسیژن و قلع یونی می باشند.

امروزه فناوری نانو و استفاده از اجزای آن از جمله نانوذرات، وضعیت صنایع را با موفقیت در پیشبرد اهداف تولید بهبود بخشیده است. از جمله این نانوذرات می توان به نانو ذره SnO2 یا دی اکسید قلع که در این تحقیق استفاده شد اشاره کرد. دی اکسید قلع در ساخت باتری ها و پیل های سوختی، خازن ها و کاتالیزورها استفاده می شود و سلامت موجودات زنده از طریق تأثیرات منفی پساب های کارخانه ای که وارد رودخانه ها و سایر منابع آبی می شوند، تحت تأثیر قرار می گیرد. در این مطالعه سمیت زیستی نانوذرات اکسید قلع بر روی جلبک Chlorella vulgaris که یکی از تولیدکنندگان اولیه و مهمترین سطوح زنجیره غذایی است، بررسی شد. این تحقیق با روش تست سمیت حاد OECD (روش شمارش جلبک ها، روش 201) و تحلیل آماری پروبیت به منظور به دست آوردن داده های سمیت با استفاده از روش پروبیت انجام شد. نتایج سمیت EC50 و EC90 در اثر مواجهه با Chlorella vulgaris طی 48 و 72 ساعت به ترتیب برابر با 99/6، 54/57 و 08/13 1010 × 07/1 میلی گرم در لیتر بود. بیشترین کاهش رشد پس از 48 و 72 ساعت در 5/5 میلی گرم در لیتر SnO2 NP مشاهده شد. در طول دوره آزمایش، هیچ تغییر مورفولوژیکی در میکروارگانیسم آزمایشی مشاهده نشد.

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ITO) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح W(RMS) و طول همبستگی عرضی V کاهش پیدا می کند. همچنین، نمای ناهمواری a و نمای رشد b به ترتیب برابر a=0.72±0.01 و b=0.11±0.01، به دست آمد. بر اساس این نتایج، دریافتیم که فرآیند رشد لایه ها را می توان به صورت ترکیبی از مدل های خطی EW و پخش سطحی مولینز توصیف نمود.

امروزه با توجه به آلودگی هوا ناشی از دود ماشین ها و کارخانه ها باید تمهیداتی برای آشکارسازی و پایش انتشار این ترکیب های آلوده کننده اندیشید. یکی از روش های آشکارسازی این ترکیب ها استفاده از حسگرهای اکسید فلزی نیم رسانا است. این حسگرهای گازی اکسید فلزی برای تشخیص گازها در کاربردهای خانگی، تجاری و صنعتی دارای مزایای بسیاری ازجمله هزینه کم و تولید آسان هستند. به هرحال، کارایی این حسگرها به عوامل متفاوتی ازجمله طبیعت ساختار، ریخت شناسی، مواد افزودنی دوپه شده به ساختار آن ها و. . . بستگی دارد. از مهم ترین این حسگرها می توان به قلع دی اکسید اشاره کرد. از این رو، در این کار مروری اثر مواد افزودنی متفاوت شامل فلز، اکسید فلز و کربن بر ویژگی حسگری قلع دی اکسید موردبررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می دهد که این مواد افزودنی بر ریخت شناختی، حساسیت، انتخاب پذیری، سرعت پاسخ و دمای پاسخ تأثیر می گذارند.

در این تحقیق به بررسی اثر افزودن اکسید تالیوم در درصد های مولی0، 1/0، 25/0، 5/0 و 1 بر ریزساختار و خواص الکتریکی وریستورهای بر پایه اکسید قلع در کاربرد ولتاژ بالا پرداخته شده است. نتایج الگوی پراش اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM) نشان می دهد که علاوه بر فاز اکسید قلع، فاز ثانویه ای اکسید تالیوم در نمونه های حاوی اکسید تالیوم با درصد مولی بیشتر از 25/0 وجود دارد. با افزودن اکسید تالیوم به وریستور اکسید قلع اندازه متوسط دانه از µ m 4 در نمونه بدون افزودنی اکسید تالیوم تا µ m 3/2 در نمونه حاوی 1 درصد مولی کاهش می یابد که می تواند ناشی از اثر فاز ثانویه بر کاهش رشد دانه بر اساس سازکار و کار زنر باشد. بهترین خواص الکتریکی غیراهمی در نمونه دوپ شده با 5/0 درصد اکسید تالیوم با جریان نشتی µ A/cm2 95 و ضریب غیرخطی (1/15) مشاهده شده است. علاوه براین، میدان الکتریکی شکست در این نمونه در حدود V/mm 532 است. افزودن مقدار بیشتر اکسید تالیوم تاثیر چندانی بر ضریب غیرخطی ندارد اما سبب افزایش ولتاژ شکست بدلیل کاهش اندازه دانه می شود.